Samsung

Chip memori Ekstra Besar Dikenalkan Samsung

chip memoriGadget-Baru.com | Pada era sebelumya belum ditemukan cara untuk membuat memori dengan kapasitas yang besar, dan saat ini ilmuwan yang bernaung diperusahaan elektronik raksasa berhasil memadukan semikonduktor untuk membuat chip memori dengan kapasitas yang besar.

Pengguna smartphone umumnya menginginkan memori internal yang berkapasitas besar untuk menyimpan sebanyak mungkin data di dalam perangkatnya. Jika sebelumnya hanya ada ROM 128GB, Samsung baru saja memperkenalkan memori chip UFS 2.0 256GB.

Dilansir dari Phone Arena, Jumat (26/2/2016), chip ini akan digunakan di perangkat high end Samsung di masa depan. Ini karena spesifikasi chip memori terbaru Samsung rupanya cukup mengesankan.

Ia disebut-sebut sebagai “pergeseran paradigma” yang dapat menangani hingga 45.000 dan 40.000 input / output operasi per detik (IOPS) untuk membaca acak dan menulis. Jika dibandingkan, memori itu cukup untuk mengalahkan generasi UFS sebelumnya yang hanya mampu membaca dan menulis 19.000 dan 14.000 IOPS.

Yang lebih mengesankan adalah bahwa chip 256GB Samsung ini dapat membaca secara berurutan sampai dengan 850 MB per detik. Kecepatan transfer data ini setara dengan sebagian besar desktop yang SATA SSD drive. Kecepatan menulis berurutan chip baru Sammy bisa naik hingga 260MB per detik, namun belum setara dengan SATA SSD desktop tetapi substansial melebihi kartu microSD yang ada saat ini.

Produsen Korea Selatan itu mengatakan bahwa salah satu tujuan utama pembangunan 256GB UFS 2.0 chip memori adalah konsumsi media 4K pada “perangkat mobile-layar besar” high-end. Dari sinilah spekulasi mengenai Galaxy Note 6 muncul. Perangkat itulah yang disebut akan membawa memori chip UFS 2.0 256GB.

Gadget-baru.com mencoba mengupas dan memberikan info tentang pergadgetan terkini.

Categories

Archives

Stats

Copyright © 2015 The Mag Theme. Theme by MVP Themes, powered by Wordpress.

To Top